英特尔宣布Intel 14A2制程技术，晶体管密度再提升

英特尔在IFS Direct Connect活动中揭示了继Intel 18A工艺之后的规划，并发布了新的技术路线图，其中包括了Intel 14A制程及其多个专业版本的进化。在Intel 14A制程中，英特尔计划首次使用High-NA EUV光刻技术，并预计在2028年进行试产，2029年正式量产。根据Wccftech的报道，台积电和三星正在积极推进1.4nm制程节点的研发，英特尔为应对竞争，正在更新其工艺路线图。其中之一就是在Intel 14A的基础上，推出改进版的Intel 14A2（也称为Intel 14A Gen2）制程技术。 Intel 18A制程技术是英特尔首个支持PowerVia背部供电技术和GAA晶体管架构的工艺技术，这两项技术为其带来了显著的PPA优势。PowerVia是英特尔独有的、行业内首个背面电能传输网络（PDN），通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 14A将继续使用背面供电，采用名为“PowerDirect”的设计，并将GAA晶体管架构升级至“RibbonFET 2”。这将使得在相同的功率下，性能提升15%至20%，或者在相同的性能下，功耗降低25%至35%，同时晶体管密度也将提升最多30%。 在Intel 14A2中，英特尔计划将最低金属互连层（M0）的间距从Intel 14A的28nm减小到21nm，从而进一步提升晶体管密度。由于原有专为背面供电设计的nTSV结构可能无法满足晶体管当前的电流密度要求，英特尔在保留背面供电作为主要供电网络的同时，重新利用部分前部金属布线，以承担辅助供电及部分时钟信号传输的任务。通过这种双面供电设计，可以减轻供电压力，尽管这可能会增加布线的复杂性。 这种方案预计将在更先进的制程节点下实现晶体管密度、供电和制造的平衡，尽管这可能会增加布线的难度。

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